SI9407AEY-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI9407AEY-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI9407AEY-T1-GE3
-
ПроизводительVishay Intertechnology
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI9407AEY-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 3.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.12 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3 W Factory Pack Quantity: 2500 Part # Aliases: SI9407AEY-GE3
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
13.06.2024
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024